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SIHB24N80AE-GE3
单 FET，MOSFET更新日期：2025-01-08
SIHB24N80AE-GE3
单 FET，MOSFET产品简介：MOSFET N-CH 800V 21A D2PAK
SIHB24N80AE-GE3 供应商
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SIHB24N80AE-GE3
原装现货 -
VISHAY
-
TO-263
23+ -
8000
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深圳
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01-08
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原厂渠道，现货，支持实单
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SIHB24N80AE-GE3
原装现货 -
VISHAY
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TO-263
24+ -
35000
-
深圳
-
11-28
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只做原装 欢迎咨询
SIHB24N80AE-GE3 中文资料属性参数
- 现有数量：34现货
- 价格：1 : ￥28.30000管件
- 系列：-
- 包装：管件
- 产品状态：在售
- FET 类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：800 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：21A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：-
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：184 毫欧 @ 10A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：89 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）：±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：1836 pF @ 100 V
- FET 功能：-
- 功率耗散（最大值）：208W（Tc）
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 供应商器件封装：D2PAK（TO-263）
- 封装/外壳：TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB