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SICW080N120Y4-BP
单 FET，MOSFET更新日期：2024-04-01 00:04:00
SICW080N120Y4-BP
单 FET，MOSFET产品简介：N-CHANNEL MOSFET,TO-247-4
SICW080N120Y4-BP 中文资料属性参数
- 现有数量：0现货查看交期
- 价格：1 : ￥125.11000散装
- 系列：-
- 包装：散装
- 产品状态：在售
- FET 类型：N 通道
- 技术：SiC（碳化硅结晶体管）
- 漏源电压（Vdss）：1200 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：39A
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：18V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：-
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：3.6V @ 5mA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：41 nC @ 18 V
- Vgs（最大值）：+22V，-8V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：890 pF @ 1000 V
- FET 功能：-
- 功率耗散（最大值）：223W（Tc）
- 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型：通孔
- 供应商器件封装：TO-247-4
- 封装/外壳：TO-247-4