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SIA921EDJ-T4-GE3
FET、MOSFET 阵列更新日期：2024-04-01 00:04:00
SIA921EDJ-T4-GE3
FET、MOSFET 阵列产品简介：MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6
SIA921EDJ-T4-GE3 中文资料属性参数
- 现有数量：0现货查看交期
- 价格：3,000 : ￥1.96082卷带（TR）
- 系列：TrenchFET?
- 包装：卷带（TR）
- 产品状态：在售
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 配置：2 个 P 沟道（双）
- FET 功能：逻辑电平门
- 漏源电压（Vdss）：20V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：4.5A
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：59 毫欧 @ 3.6A，4.5V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：1.4V @ 250μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：23nC @ 10V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：-
- 功率 - 最大值：7.8W
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 封装/外壳：PowerPAK? SC-70-6 双
- 供应商器件封装：PowerPAK? SC-70-6 双