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SIA453EDJ-T1-GE3
单 FET，MOSFET更新日期：2024-04-01
SIA453EDJ-T1-GE3
单 FET，MOSFET产品简介：MOSFET P-CH 30V 24A PPAK SC70-6
SIA453EDJ-T1-GE3 供应商
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原厂原封装
新批号 -
887000
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上海市
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原厂发货进口原装微信同步QQ893727827
SIA453EDJ-T1-GE3 中文资料属性参数
- 现有数量：0现货
- 价格：停产
- 系列：TrenchFET?
- 包装：卷带（TR）剪切带（CT）? 得捷定制卷带
- 产品状态：停产
- FET 类型：P 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：30 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：24A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：2.5V，10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：18.5 毫欧 @ 5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：1.4V @ 250μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：66 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）：±12V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：1900 pF @ 15 V
- FET 功能：-
- 功率耗散（最大值）：3.5W（Ta），19W（Tc）
- 工作温度：-50°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 供应商器件封装：PowerPAK? SC-70-6
- 封装/外壳：PowerPAK? SC-70-6
SIA453EDJ-T1-GE3 数据手册
| 数据手册 | 说明 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|
 SIA453EDJ-T1-GE3
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MOSFET P-CH 30V 24A PPAK SC-70-6 |
9页,219K | 查看 |