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SI8416DB-T2-E1
单 FET，MOSFET更新日期：2024-04-01 00:04:00
SI8416DB-T2-E1
单 FET，MOSFET产品简介：MOSFET N-CH 8V 16A 6MICRO FOOT
SI8416DB-T2-E1 中文资料属性参数
- 现有数量：7,052现货
- 价格：1 : ￥5.64000剪切带（CT）3,000 : ￥2.17867卷带（TR）
- 系列：TrenchFET?
- 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷带
- 产品状态：在售
- FET 类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：8 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：16A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.2V，4.5V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：23 毫欧 @ 1.5A，4.5V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：800mV @ 250μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：26 nC @ 4.5 V
- Vgs（最大值）：±5V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：1470 pF @ 4 V
- FET 功能：-
- 功率耗散（最大值）：2.77W（Ta），13W（Tc）
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 供应商器件封装：6-Micro Foot?（1.5x1）
- 封装/外壳：6-UFBGA