搜索
发布采购
SI7252ADP-T1-GE3
FET、MOSFET 阵列更新日期：2025-01-08 14:01:35
SI7252ADP-T1-GE3
FET、MOSFET 阵列产品简介：DUAL N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFE
SI7252ADP-T1-GE3 供应商
- 公司
- 型号
- 品牌
- 封装/批号
- 数量
- 地区
- 日期
- 说明
- 询价
-
SI7252ADP-T1-GE3
原装现货 -
VISHAY
-
PPAKSO-8
23+ -
9000
-
深圳
-
01-08
-
原厂渠道，现货，支持实单
SI7252ADP-T1-GE3 中文资料属性参数
- 现有数量：0现货查看交期
- 价格：1 : ￥13.04000剪切带（CT）3,000 : ￥5.97255卷带（TR）
- 系列：TrenchFET?
- 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷带
- 产品状态：在售
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 配置：2 N-通道（双）
- FET 功能：-
- 漏源电压（Vdss）：100V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：9.3A（Ta），28.7A（Tc）
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：18.6 毫欧 @ 10A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：26.5nC @ 10V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：1266pF @ 50V
- 功率 - 最大值：3.6W（Ta），33.8W（Tc）
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 封装/外壳：PowerPAK? SO-8 双
- 供应商器件封装：PowerPAK? SO-8 双