搜索
发布采购
SI7121ADN-T1-GE3
单 FET，MOSFET更新日期：2025-01-08 14:01:35
SI7121ADN-T1-GE3
单 FET，MOSFET产品简介：MOSFET P-CH 30V 12A PPAK1212-8
SI7121ADN-T1-GE3 供应商
- 公司
- 型号
- 品牌
- 封装/批号
- 数量
- 地区
- 日期
- 说明
- 询价
-
SI7121ADN-T1-GE3
原装现货 -
VISHAY
-
PPAK1212-8
23+ -
15000
-
深圳
-
01-08
-
原厂渠道，现货，支持实单
-
VISHAY
-
SMD
23+ -
5000
-
上海市
-
-
-
原装进口
-
VISHAY/威世
-
12000
21+ -
10000
-
杭州
-
-
-
只做原装现货，大量现货热卖
-
VISHAY
-
TSSOP
23+ -
46000
-
合肥
-
-
-
科大讯飞战略投资企业，提供一站式配套服务
SI7121ADN-T1-GE3 中文资料属性参数
- 现有数量：17,980现货
- 价格：1 : ￥4.93000剪切带（CT）3,000 : ￥1.91238卷带（TR）
- 系列：TrenchFET?
- 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷带
- 产品状态：在售
- FET 类型：P 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：30 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：12A（Ta）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：15 毫欧 @ 7A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：50 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）：±25V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：1870 pF @ 15 V
- FET 功能：-
- 功率耗散（最大值）：3.5W（Ta），27.8W（Tc）
- 工作温度：-50°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 供应商器件封装：PowerPAK? 1212-8
- 封装/外壳：PowerPAK? 1212-8