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SI6562CDQ-T1-BE3
FET、MOSFET 阵列更新日期：2024-04-01 00:04:00
SI6562CDQ-T1-BE3
FET、MOSFET 阵列产品简介：N- AND P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSF
SI6562CDQ-T1-BE3 中文资料属性参数
- 现有数量：2,948现货
- 价格：1 : ￥8.11000剪切带（CT）3,000 : ￥3.44748卷带（TR）
- 系列：TrenchFET?
- 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷带
- 产品状态：在售
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 配置：N 和 P 沟道
- FET 功能：-
- 漏源电压（Vdss）：20V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：5.7A（Ta），6.7A（Tc），5.1A（Ta），6.1A（Tc）
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：22 毫欧 @ 5.7A，4.5V，30 毫欧 @ 5.1A，4.5V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：1.5V @ 250μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：23nC @ 10V，51nC @ 10V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：850pF @ 10V，1200pF @ 10V
- 功率 - 最大值：1.1W（Ta），1.6W（Tc），1.2W（Ta），1.7W（Tc）
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 封装/外壳：8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）
- 供应商器件封装：8-TSSOP