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SI4554DY-T1-GE3
FET、MOSFET 阵列更新日期：2024-04-01
SI4554DY-T1-GE3
FET、MOSFET 阵列产品简介：MOSFET N/P-CH 40V 8A 8SO
SI4554DY-T1-GE3 供应商
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原厂原封装
新批号 -
887000
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上海市
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原厂发货进口原装微信同步QQ893727827
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VISHAY
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TSSOP
23+ -
46000
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合肥
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SI4554DY-T1-GE3 中文资料属性参数
- 现有数量：0现货查看交期
- 价格：1 : ￥6.28000剪切带（CT）2,500 : ￥2.42074卷带（TR）
- 系列：TrenchFET?
- 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷带
- 产品状态：在售
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 配置：N 和 P 沟道
- FET 功能：逻辑电平门
- 漏源电压（Vdss）：40V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：8A
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：24 毫欧 @ 6.8A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.2V @ 250μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：20nC @ 10V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：690pF @ 20V
- 功率 - 最大值：3.1W，3.2W
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 供应商器件封装：8-SOIC