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SI3993CDV-T1-GE3
FET、MOSFET 阵列更新日期：2024-04-01
SI3993CDV-T1-GE3
FET、MOSFET 阵列产品简介：MOSFET 2P-CH 30V 2.9A 6-TSOP
SI3993CDV-T1-GE3 供应商
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VISHAY
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最新批号 -
8800
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上海市
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VISHAY
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TSSOP
23+ -
46000
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合肥
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SI3993CDV-T1-GE3 中文资料属性参数
- 现有数量：0现货查看交期
- 价格：1 : ￥4.05000剪切带（CT）3,000 : ￥1.42324卷带（TR）
- 系列：TrenchFET?
- 包装：卷带（TR）剪切带（CT）? 得捷定制卷带
- 产品状态：在售
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 配置：2 个 P 沟道（双）
- FET 功能：-
- 漏源电压（Vdss）：30V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：2.9A
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：111 毫欧 @ 2.5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.2V @ 250μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：8nC @ 10V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：210pF @ 15V
- 功率 - 最大值：1.4W
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 封装/外壳：SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
- 供应商器件封装：6-TSOP