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SI2399DS-T1-GE3
单 FET，MOSFET更新日期：2024-04-01
SI2399DS-T1-GE3
单 FET，MOSFET产品简介：MOSFET P-CH 20V 6A SOT23-3
SI2399DS-T1-GE3 供应商
- 公司
- 型号
- 品牌
- 封装/批号
- 数量
- 地区
- 日期
- 说明
- 询价
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厂NA
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SOT-23
2024 -
54280
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上海市
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上海原装现货库存，欢迎咨询合作
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VISHAY
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TSSOP
23+ -
46000
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合肥
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SI2399DS-T1-GE3 中文资料属性参数
- 现有数量：0现货查看交期
- 价格：1 : ￥4.05000剪切带（CT）3,000 : ￥1.42324卷带（TR）
- 系列：TrenchFET?
- 包装：卷带（TR）剪切带（CT）? 得捷定制卷带
- 产品状态：在售
- FET 类型：P 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：20 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：6A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：2.5V，10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：34 毫欧 @ 5.1A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：1.5V @ 250μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：20 nC @ 4.5 V
- Vgs（最大值）：±12V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：835 pF @ 10 V
- FET 功能：-
- 功率耗散（最大值）：2.5W（Tc）
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 供应商器件封装：SOT-23-3（TO-236）
- 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3