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SI2356DS-T1-GE3
单 FET，MOSFET更新日期：2024-04-01
SI2356DS-T1-GE3
单 FET，MOSFET产品简介：MOSFET N-CH 40V 4.3A TO236
SI2356DS-T1-GE3 供应商
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VISHAY/威世
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SOT-23-3
21+ -
10000
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杭州
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只做原装现货，大量现货热卖
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SI2356DS-T1-GE3
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Vishay
连可连代销V -
11396
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上海市
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1
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SOT-23
23+ -
46000
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合肥
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SI2356DS-T1-GE3 中文资料属性参数
- 现有数量：0现货查看交期
- 价格：1 : ￥3.18000剪切带（CT）3,000 : ￥0.91177卷带（TR）
- 系列：TrenchFET?
- 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷带
- 产品状态：在售
- FET 类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：40 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：4.3A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：2.5V，10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：51 毫欧 @ 3.2A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：1.5V @ 250μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：13 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）：±12V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：370 pF @ 20 V
- FET 功能：-
- 功率耗散（最大值）：960mW（Ta），1.7W（Tc）
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 供应商器件封装：SOT-23-3（TO-236）
- 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3