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SI2333DDS-T1-GE3
单 FET，MOSFET更新日期：2024-04-01
SI2333DDS-T1-GE3
单 FET，MOSFET产品简介：MOSFET P-CH 12V 6A SOT23-3
SI2333DDS-T1-GE3 供应商
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VISHAY/威世
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24000
21+ -
10000
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杭州
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只做原装现货，大量现货热卖
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VISHAY
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SOT-23
22+授权代理 -
15800
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上海市
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旋尔只做进口原装，假一赔十...
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VISHAY
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SOT23
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2955
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台州
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VISHAY
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最新批号 -
8800
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上海市
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VISHAY
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SOT-23
2224 -
36000
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杭州
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原厂原装现货，假一罚十
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SOT-23
23+ -
46000
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合肥
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科大讯飞战略投资企业，提供一站式配套服务
SI2333DDS-T1-GE3 中文资料属性参数
- 现有数量：0现货查看交期
- 价格：1 : ￥3.34000剪切带（CT）3,000 : ￥1.17094卷带（TR）
- 系列：TrenchFET?
- 包装：卷带（TR）剪切带（CT）? 得捷定制卷带
- 产品状态：在售
- FET 类型：P 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：12 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：6A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.5V，4.5V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：28 毫欧 @ 5A，4.5V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：1V @ 250μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：35 nC @ 8 V
- Vgs（最大值）：±8V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：1275 pF @ 6 V
- FET 功能：-
- 功率耗散（最大值）：1.2W（Ta），1.7W（Tc）
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 供应商器件封装：SOT-23-3（TO-236）
- 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3