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SI2329DS-T1-GE3
单 FET，MOSFET更新日期：2024-04-01
SI2329DS-T1-GE3
单 FET，MOSFET产品简介：MOSFET P-CH 8V 6A SOT23-3
SI2329DS-T1-GE3 供应商
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VISHAY
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最新批号 -
8800
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上海市
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SOT-23
23+ -
46000
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合肥
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科大讯飞战略投资企业，提供一站式配套服务
SI2329DS-T1-GE3 中文资料属性参数
- 现有数量：0现货查看交期
- 价格：1 : ￥4.69000剪切带（CT）3,000 : ￥1.81555卷带（TR）
- 系列：TrenchFET?
- 包装：卷带（TR）剪切带（CT）? 得捷定制卷带
- 产品状态：在售
- FET 类型：P 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：8 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：6A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.2V，4.5V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：30 毫欧 @ 5.3A，4.5V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：800mV @ 250μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：29 nC @ 4.5 V
- Vgs（最大值）：±5V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：1485 pF @ 4 V
- FET 功能：-
- 功率耗散（最大值）：2.5W（Tc）
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 供应商器件封装：SOT-23-3（TO-236）
- 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3