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SI2318CDS-T1-BE3
单 FET，MOSFET更新日期：2025-01-09 13:01:45
SI2318CDS-T1-BE3
单 FET，MOSFET产品简介：N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET
SI2318CDS-T1-BE3 供应商
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- 说明
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-
SI2318CDS-T1-BE3
原装现货 -
VISHAY
-
SOT23-5
20/21+ -
27000
-
深圳
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01-09
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原装
SI2318CDS-T1-BE3 中文资料属性参数
- 现有数量：854现货
- 价格：1 : ￥3.90000剪切带（CT）3,000 : ￥0.86847卷带（TR）
- 系列：-
- 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷带
- 产品状态：在售
- FET 类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：40 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：4.3A（Ta），5.6A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：42 毫欧 @ 4.3A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：9 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）：±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：340 pF @ 20 V
- FET 功能：-
- 功率耗散（最大值）：1.25W（Ta），2.1W（Tc）
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 供应商器件封装：SOT-23-3（TO-236）
- 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3