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SI2312HE3-TP
单 FET，MOSFET更新日期：2024-04-01 00:04:00
SI2312HE3-TP
单 FET，MOSFET产品简介：Interface
SI2312HE3-TP 中文资料属性参数
- 现有数量：0现货查看交期
- 价格：3,000 : ￥0.79606散装
- 系列：Automotive, AEC-Q101
- 包装：散装
- 产品状态：在售
- FET 类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：20 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：5A
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.8V，4.5V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：31.8 毫欧 5A，4.5V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：1V @ 250μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：-
- Vgs（最大值）：±8V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：865 pF @ 10 V
- FET 功能：-
- 功率耗散（最大值）：350mW
- 工作温度：-55°C ~ 150°C
- 安装类型：表面贴装型
- 供应商器件封装：SOT-23
- 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3