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SI1416EDH-T1-GE3
单 FET，MOSFET更新日期：2024-04-01
SI1416EDH-T1-GE3
单 FET，MOSFET产品简介：MOSFET N-CH 30V 3.9A SOT-363
SI1416EDH-T1-GE3 供应商
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VISHAY/威世
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SC70-6
21+ -
10000
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杭州
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只做原装现货，大量现货热卖
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VIS
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原厂原封装
新批号 -
887000
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上海市
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原厂发货进口原装微信同步QQ893727827
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VISHAY
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最新批号 -
8800
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上海市
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VISHAY
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TSSOP
23+ -
46000
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合肥
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SI1416EDH-T1-GE3 中文资料属性参数
- 现有数量：36,342现货
- 价格：1 : ￥3.74000剪切带（CT）3,000 : ￥1.06054卷带（TR）
- 系列：TrenchFET?
- 包装：卷带（TR）剪切带（CT）? 得捷定制卷带
- 产品状态：在售
- FET 类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：30 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：3.9A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：2.5V，10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：58 毫欧 @ 3.1A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：1.4V @ 250μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：12 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）：±12V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：-
- FET 功能：-
- 功率耗散（最大值）：2.8W（Tc）
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 供应商器件封装：SC-70-6
- 封装/外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363