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SI1034CX-T1-GE3
FET、MOSFET 阵列更新日期：2024-04-01
SI1034CX-T1-GE3
FET、MOSFET 阵列产品简介：MOSFET 2N-CH 20V SC89-6
SI1034CX-T1-GE3 供应商
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原装VISHAY
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最新批号 -
8800
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上海市
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VISHAY
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TSSOP
23+ -
46000
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合肥
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科大讯飞战略投资企业，提供一站式配套服务
SI1034CX-T1-GE3 中文资料属性参数
- 现有数量：132,590现货
- 价格：1 : ￥2.94000剪切带（CT）3,000 : ￥0.82639卷带（TR）
- 系列：TrenchFET?
- 包装：卷带（TR）剪切带（CT）? 得捷定制卷带
- 产品状态：在售
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 配置：2 N-通道（双）
- FET 功能：逻辑电平门
- 漏源电压（Vdss）：20V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：610mA（Ta）
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：396 毫欧 @ 500mA，4.5V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：1V @ 250μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：2nC @ 8V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：43pF @ 10V
- 功率 - 最大值：220mW
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 封装/外壳：SOT-563，SOT-666
- 供应商器件封装：SC-89（SOT-563F）