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SI1013CX-T1-GE3
单 FET，MOSFET更新日期：2024-05-09
SI1013CX-T1-GE3
单 FET，MOSFET产品简介：MOSFET P-CH 20V 450MA SC89-3
SI1013CX-T1-GE3 供应商
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- 说明
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SI1013CX-T1-GE3
原装现货 -
VISHAY
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SOT-523
24+ -
30000
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深圳
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05-09
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原装现货，可接订货，QQ383204303微信同号
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VISHAY
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SOT-523
新批号 -
8887770
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上海市
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原厂直发进口原装微信同步QQ893727827
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原装VISHAY
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最新批号 -
8800
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上海市
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SI1013CX-T1-GE3 中文资料属性参数
- 现有数量：4,015现货
- 价格：1 : ￥3.90000剪切带（CT）3,000 : ￥0.71788卷带（TR）
- 系列：TrenchFET?
- 包装：卷带（TR）剪切带（CT）? 得捷定制卷带
- 产品状态：在售
- FET 类型：P 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：20 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：450mA（Ta）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：760 毫欧 @ 400mA，4.5V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：1V @ 250μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：2.5 nC @ 4.5 V
- Vgs（最大值）：±8V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：45 pF @ 10 V
- FET 功能：-
- 功率耗散（最大值）：190mW（Ta）
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 供应商器件封装：SC-89-3
- 封装/外壳：SC-89，SOT-490