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SH8MA4TB1
FET、MOSFET 阵列更新日期：2024-04-01 00:04:00
SH8MA4TB1
FET、MOSFET 阵列产品简介：SH8MA4TB1 IS LOW ON-RESISTANCE A
SH8MA4TB1 供应商
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- 说明
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ROHM
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SOP8[5.00x6.00x1.75mm]
21+ -
50000
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上海市
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原装现货!品质为先！请来电垂询！
SH8MA4TB1 中文资料属性参数
- 现有数量：6,808现货
- 价格：1 : ￥9.70000剪切带（CT）2,500 : ￥4.10190卷带（TR）
- 系列：-
- 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷带
- 产品状态：在售
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 配置：N 和 P 沟道
- FET 功能：-
- 漏源电压（Vdss）：30V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：9A（Ta），8.5A（Ta）
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：21.4mOhm @ 9A，10V，29.6mOhm @ 8.5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 1mA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：15.5nC @ 10V，19.6nC @ 10V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：640pF @ 15V，890pF @ 15V
- 功率 - 最大值：2W（Ta）
- 工作温度：150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 供应商器件封装：8-SOP