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SH8M24GZETB
FET、MOSFET 阵列更新日期：2024-04-01 00:04:00
SH8M24GZETB
FET、MOSFET 阵列产品简介：4V DRIVE NCH+PCH MOSFET. COMPLEX
SH8M24GZETB 供应商
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ROHM
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??μ
20+ -
165000
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上海市
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оо9999?
SH8M24GZETB 中文资料属性参数
- 现有数量：9,120现货
- 价格：1 : ￥10.49000剪切带（CT）2,500 : ￥4.45252卷带（TR）
- 系列：-
- 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷带
- 产品状态：不适用于新设计
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 配置：N 和 P 沟道
- FET 功能：-
- 漏源电压（Vdss）：45V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：6A（Ta）
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：46 毫欧 @ 4.5A，10V，63 毫欧 @ 3.5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 1mA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：9.6nC @ 5V，18.2nC @ 5V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：550pF @ 10V，1700pF @ 10V
- 功率 - 最大值：1.4W（Ta）
- 工作温度：150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 供应商器件封装：8-SOP