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SH68N65DM6AG
FET、MOSFET 阵列更新日期：2024-04-01 00:04:00
SH68N65DM6AG
FET、MOSFET 阵列产品简介：AUTOMOTIVE-GRADE N-CHANNEL 650 V
SH68N65DM6AG 中文资料属性参数
- 现有数量：49现货
- 价格：1 : ￥281.90000剪切带（CT）200 : ￥222.04080卷带（TR）
- 系列：ECOPACK?
- 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷带
- 产品状态：在售
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 配置：2 个 N 通道（半桥）
- FET 功能：-
- 漏源电压（Vdss）：650V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：64A（Tc）
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：41 毫欧 @ 23A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4.75V @ 250μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：116nC @ 10V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：5900pF @ 100V
- 功率 - 最大值：379W（Tc）
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 封装/外壳：9-PowerSMD
- 供应商器件封装：9-ACEPACK SMIT