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SCTWA60N120G2-4
单 FET，MOSFET更新日期：2024-04-01 00:04:00
SCTWA60N120G2-4
单 FET，MOSFET产品简介：SILICON CARBIDE POWER MOSFET 120
SCTWA60N120G2-4 供应商
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- 说明
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isc/固电半导体
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TO-247-4L
2024+ -
1000
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无锡
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国产品牌isc，33年国产工厂
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ST
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23+ -
8000
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上海市
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原厂原装假一赔十
SCTWA60N120G2-4 中文资料属性参数
- 现有数量：588现货
- 价格：1 : ￥261.79000管件
- 系列：-
- 包装：管件
- 产品状态：在售
- FET 类型：N 通道
- 技术：SiCFET（碳化硅）
- 漏源电压（Vdss）：1200 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：60A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：18V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：52 毫欧 @ 30A，18V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：5V @ 1mA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：94 nC @ 18 V
- Vgs（最大值）：+22V，-10V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：1969 pF @ 800 V
- FET 功能：-
- 功率耗散（最大值）：388W（Tc）
- 工作温度：-55°C ~ 200°C（TJ）
- 安装类型：通孔
- 供应商器件封装：TO-247-4
- 封装/外壳：TO-247-4