搜索
发布采购
SCTWA35N65G2VAG
单 FET，MOSFET更新日期：2024-04-01 00:04:00
SCTWA35N65G2VAG
单 FET，MOSFET产品简介：SICFET N-CH 650V 45A TO247
SCTWA35N65G2VAG 供应商
- 公司
- 型号
- 品牌
- 封装/批号
- 数量
- 地区
- 日期
- 说明
- 询价
-
isc/固电半导体
-
TO-247-3L
2024+ -
1000
-
无锡
-
-
-
国产品牌isc，33年国产工厂
SCTWA35N65G2VAG 中文资料属性参数
- 现有数量：0现货
- 价格：在售
- 系列：-
- 包装：管件
- 产品状态：在售
- FET 类型：N 通道
- 技术：SiCFET（碳化硅）
- 漏源电压（Vdss）：650 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：45A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：18V，20V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：72毫欧 @ 20A，20V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：3.2V @ 1mA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：73 nC @ 20 V
- Vgs（最大值）：+20V，-5V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：1370 pF @ 400 V
- FET 功能：-
- 功率耗散（最大值）：208W（Tc）
- 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型：通孔
- 供应商器件封装：TO-247 长引线
- 封装/外壳：TO-247-3