搜索
发布采购
SCTWA20N120
单 FET，MOSFET更新日期：2024-05-09 16:05:44
SCTWA20N120
单 FET，MOSFET产品简介：IC POWER MOSFET 1200V HIP247
SCTWA20N120 供应商
- 公司
- 型号
- 品牌
- 封装/批号
- 数量
- 地区
- 日期
- 说明
- 询价
-
SCTWA20N120
原装现货 -
ST
-
TO-3P
24+ -
600
-
深圳
-
05-09
-
原装现货，可接订货，QQ383204303微信同号
-
isc/固电半导体
-
TO-247
2024+ -
1000
-
无锡
-
-
-
国产品牌isc，33年国产工厂
-
ST
-
TO-3P
新批号 -
8887770
-
上海市
-
-
-
原厂直发进口原装微信同步QQ893727827
SCTWA20N120 中文资料属性参数
- 现有数量：570现货
- 价格：1 : ￥141.43000管件
- 系列：-
- 包装：管件
- 产品状态：在售
- FET 类型：N 通道
- 技术：SiCFET（碳化硅）
- 漏源电压（Vdss）：1200 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：20A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：20V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：239毫欧 @ 10A，20V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 1mA （标准）
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：45 nC @ 20 V
- Vgs（最大值）：+25V，-10V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：650 pF @ 400 V
- FET 功能：-
- 功率耗散（最大值）：175W（Tc）
- 工作温度：-55°C ~ 200°C（TJ）
- 安装类型：通孔
- 供应商器件封装：HiP247? 长引线
- 封装/外壳：TO-247-3