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SCTW40N120G2V
单 FET，MOSFET更新日期：2024-04-01 00:04:00
SCTW40N120G2V
单 FET，MOSFET产品简介：SILICON CARBIDE POWER MOSFET 120
SCTW40N120G2V 供应商
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SCTW40N120G2V 中文资料属性参数
- 现有数量：0现货查看交期
- 价格：1 : ￥171.80000管件
- 系列：-
- 包装：管件
- 产品状态：在售
- FET 类型：N 通道
- 技术：SiCFET（碳化硅）
- 漏源电压（Vdss）：1200 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：36A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：18V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：100 欧姆 @ 20A，18V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4.9V @ 1mA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：61 nC @ 18 V
- Vgs（最大值）：+22V，-10V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：1233 pF @ 800 V
- FET 功能：-
- 功率耗散（最大值）：278W（Tc）
- 工作温度：-55°C ~ 200°C（TJ）
- 安装类型：通孔
- 供应商器件封装：HiP247?
- 封装/外壳：TO-247-3