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SCTH90N65G2V-7
单 FET，MOSFET更新日期：2024-04-01 00:04:00
SCTH90N65G2V-7
单 FET，MOSFET产品简介：SICFET N-CH 650V 90A H2PAK-7
SCTH90N65G2V-7 供应商
- 公司
- 型号
- 品牌
- 封装/批号
- 数量
- 地区
- 日期
- 说明
- 询价
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isc/固电半导体
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D2PAK/TO-263-7L
2024+ -
1000
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无锡
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国产品牌isc，33年国产工厂
SCTH90N65G2V-7 中文资料属性参数
- 现有数量：87现货
- 价格：1 : ￥278.72000剪切带（CT）1,000 : ￥187.76557卷带（TR）
- 系列：-
- 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷带
- 产品状态：在售
- FET 类型：N 通道
- 技术：SiCFET（碳化硅）
- 漏源电压（Vdss）：650 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：90A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：18V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：26 毫欧 @ 50A，18V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：5V @ 1mA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：157 nC @ 18 V
- Vgs（最大值）：+22V，-10V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：3300 pF @ 400 V
- FET 功能：-
- 功率耗散（最大值）：330W（Tc）
- 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 供应商器件封装：H2PAK-7
- 封装/外壳：TO-263-8，D2Pak（7 引线+接片），TO-263CA