SCT2450KEC
单 FET,MOSFET更新日期:2024-04-01
SCT2450KEC
单 FET,MOSFET产品简介:SICFET N-CH 1200V 10A TO247
SCT2450KEC 供应商
- 公司
- 型号
- 品牌
- 封装/批号
- 数量
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- 日期
- 说明
- 询价
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isc/固电半导体
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TO-247
2024+ -
1000
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无锡
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国产品牌isc,33年国产工厂
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Rohm
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TO-247
22+授权代理 -
15800
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上海市
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旋尔只做进口原装,假一赔十...
SCT2450KEC 中文资料属性参数
- 现有数量:0现货
- 价格:停产
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:SiCFET(碳化硅)
- 漏源电压(Vdss):1200 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A(Tc)
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):18V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):585 毫欧 @ 3A,18V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):4V @ 900μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值):27 nC @ 18 V
- Vgs(最大值):+22V,-6V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):463 pF @ 800 V
- FET 功能:-
- 功率耗散(最大值):85W(Tc)
- 工作温度:175°C(TJ)
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-247
- 封装/外壳:TO-247-3
SCT2450KEC 数据手册
数据手册 | 说明 | 数量 | 操作 |
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MOSFET N-CH 1200V 10A TO-247 |
14页,946K | 查看 |