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SCT2120AFC
单 FET，MOSFET更新日期：2024-04-01 00:04:00
SCT2120AFC
单 FET，MOSFET产品简介：SICFET N-CH 650V 29A TO220AB
SCT2120AFC 供应商
- 公司
- 型号
- 品牌
- 封装/批号
- 数量
- 地区
- 日期
- 说明
- 询价
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isc/固电半导体
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TO-220
2024+ -
1000
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无锡
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国产品牌isc，33年国产工厂
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ROHM
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原厂原封装
新批号 -
887000
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上海市
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原厂发货进口原装微信同步QQ893727827
SCT2120AFC 中文资料属性参数
- 现有数量：0现货
- 价格：停产
- 系列：-
- 包装：管件
- 产品状态：停产
- FET 类型：N 通道
- 技术：SiCFET（碳化硅）
- 漏源电压（Vdss）：650 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：29A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：18V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：156 毫欧 @ 10A，18V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4V @ 3.3mA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：61 nC @ 18 V
- Vgs（最大值）：+22V，-6V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：1200 pF @ 500 V
- FET 功能：-
- 功率耗散（最大值）：165W（Tc）
- 工作温度：175°C（TJ）
- 安装类型：通孔
- 供应商器件封装：TO-220AB
- 封装/外壳：TO-220-3
SCT2120AFC 数据手册
| 数据手册 | 说明 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|
 SCT2120AFC
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MOSFET N-CH 650V 29A TO-220AB |
14页,950K | 查看 |