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SCT1000N170
单 FET，MOSFET更新日期：2024-04-01 00:04:00
SCT1000N170
单 FET，MOSFET产品简介：HIP247 IN LINE
SCT1000N170 供应商
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- 封装/批号
- 数量
- 地区
- 日期
- 说明
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isc/固电半导体
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TO-247
2024+ -
1000
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无锡
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国产品牌isc，33年国产工厂
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ST
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23+ -
8000
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上海市
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原厂原装假一赔十
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ST
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默认2年内 -
27000
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上海市
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原装，假一罚十
SCT1000N170 中文资料属性参数
- 现有数量：0现货查看交期
- 价格：1 : ￥114.56000管件
- 系列：-
- 包装：管件
- 产品状态：在售
- FET 类型：N 通道
- 技术：SiCFET（碳化硅）
- 漏源电压（Vdss）：1700 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：7A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：20V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：1.3 欧姆 @ 3A，20V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 1mA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：13.3 nC @ 20 V
- Vgs（最大值）：+22V，-10V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：133 pF @ 1000 V
- FET 功能：-
- 功率耗散（最大值）：96W（Tc）
- 工作温度：-55°C ~ 200°C（TJ）
- 安装类型：通孔
- 供应商器件封装：HiP247?
- 封装/外壳：TO-247-3