搜索
发布采购
S2M0080120D
单 FET，MOSFET更新日期：2024-04-01 00:04:00
S2M0080120D
单 FET，MOSFET产品简介：MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V
S2M0080120D 中文资料属性参数
- 现有数量：276现货
- 价格：1 : ￥117.50000管件
- 系列：-
- 包装：管件
- 产品状态：在售
- FET 类型：N 通道
- 技术：SiCFET（碳化硅）
- 漏源电压（Vdss）：1200 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：41A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：20V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：100 毫欧 @ 20A，20V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4V @ 10mA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：54 nC @ 20 V
- Vgs（最大值）：+25V，-10V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：1324 pF @ 1000 V
- FET 功能：-
- 功率耗散（最大值）：231W（Tc）
- 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型：通孔
- 供应商器件封装：TO-247AD
- 封装/外壳：TO-247-3