RYC002N05T316
单 FET,MOSFET更新日期:2024-04-01
RYC002N05T316
单 FET,MOSFET产品简介:MOSFET N-CHANNEL 50V 200MA SST3
RYC002N05T316 供应商
- 公司
- 型号
- 品牌
- 封装/批号
- 数量
- 地区
- 日期
- 说明
- 询价
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厂NA
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SMD
2024 -
91752
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上海市
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上海原装现货库存,欢迎咨询合作
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ROHM
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SOT-23-3(TO-236)
21+ -
50000
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上海市
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原装现货!品质为先!请来电垂询!
RYC002N05T316 中文资料属性参数
- 现有数量:54,895现货
- 价格:1 : ¥3.02000剪切带(CT)3,000 : ¥0.67614卷带(TR)
- 系列:-
- 包装:卷带(TR)剪切带(CT)? 得捷定制卷带
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss):50 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):200mA(Ta)
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):2.2 欧姆 @ 200mA,4.5V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):800mV @ 1mA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值):-
- Vgs(最大值):±8V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):26 pF @ 10 V
- FET 功能:-
- 功率耗散(最大值):350mW(Tc)
- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:SST3
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3