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RW1E014SNT2R
单 FET，MOSFET更新日期：2024-04-01 00:04:00
RW1E014SNT2R
单 FET，MOSFET产品简介：MOSFET N-CH 30V 1.4A WEMT6
RW1E014SNT2R 供应商
- 公司
- 型号
- 品牌
- 封装/批号
- 数量
- 地区
- 日期
- 说明
- 询价
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ROHM/ELNAF
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WEMT6
1819+ -
15980
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上海市
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原装现货,精专配套,正品BOM表报价
RW1E014SNT2R 中文资料属性参数
- 现有数量：7,791现货
- 价格：1 : ￥2.94000剪切带（CT）
- 系列：-
- 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷带
- 产品状态：停产
- FET 类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：30 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：1.4A（Ta）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4V，10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：240 毫欧 @ 1.4A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 1mA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：1.4 nC @ 5 V
- Vgs（最大值）：±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：70 pF @ 10 V
- FET 功能：-
- 功率耗散（最大值）：400mW（Ta）
- 工作温度：150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 供应商器件封装：6-WEMT
- 封装/外壳：6-SMD，扁平引线
RW1E014SNT2R 数据手册
| 数据手册 | 说明 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|
 RW1E014SNT2R
|
MOSFET N-CH 30V 1.4A WEMT6 |
5页,125K | 查看 |