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RW1C026ZPT2CR
单 FET，MOSFET更新日期：2024-04-01 00:04:00
RW1C026ZPT2CR
单 FET，MOSFET产品简介：MOSFET P-CH 20V 2.5A 6WEMT
RW1C026ZPT2CR 中文资料属性参数
- 现有数量：5,845现货
- 价格：1 : ￥3.90000剪切带（CT）
- 系列：-
- 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷带
- 产品状态：停产
- FET 类型：P 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：20 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：2.5A（Ta）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.5V，4.5V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：70 毫欧 @ 2.5A，4.5V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：1V @ 1mA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：10 nC @ 4.5 V
- Vgs（最大值）：±10V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：1250 pF @ 10 V
- FET 功能：-
- 功率耗散（最大值）：700mW（Ta）
- 工作温度：150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 供应商器件封装：6-WEMT
- 封装/外壳：6-SMD，扁平引线
RW1C026ZPT2CR 数据手册
| 数据手册 | 说明 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|
 RW1C026ZPT2CR
|
MOSFET P-CH 20V 2.5A WEMT6 |
12页,2.81M | 查看 |