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RV2C010UNT2L
单 FET，MOSFET更新日期：2024-04-01 00:04:00
RV2C010UNT2L
单 FET，MOSFET产品简介：MOSFET N-CH 20V 1A DFN1006-3
RV2C010UNT2L 供应商
- 公司
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- 封装/批号
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- 说明
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ROHM
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SMD
23+ -
5000
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上海市
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原装进口
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ROHM
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??μ
20+ -
2200000
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上海市
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оо0.351?
RV2C010UNT2L 中文资料属性参数
- 现有数量：53,104现货
- 价格：1 : ￥3.26000剪切带（CT）8,000 : ￥0.68115卷带（TR）
- 系列：-
- 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷带
- 产品状态：在售
- FET 类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：20 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：1A（Ta）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.2V，4.5V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：470 毫欧 @ 500mA，4.5V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：1V @ 1mA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：-
- Vgs（最大值）：±8V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：40 pF @ 10 V
- FET 功能：-
- 功率耗散（最大值）：400mW（Ta）
- 工作温度：150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 供应商器件封装：VML1006
- 封装/外壳：SC-101，SOT-883