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RUS100N02TB
单 FET，MOSFET更新日期：2024-04-01 00:04:00
RUS100N02TB
单 FET，MOSFET产品简介：MOSFET N-CH 20V 10A 8SOP
RUS100N02TB 供应商
- 公司
- 型号
- 品牌
- 封装/批号
- 数量
- 地区
- 日期
- 说明
- 询价
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ROHM/ELNAF
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SOP
1811+ -
15000
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上海市
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原装现货,精专配套,正品BOM表报价
RUS100N02TB 中文资料属性参数
- 现有数量：248现货
- 价格：1 : ￥17.09000剪切带（CT）2,500 : ￥7.82067卷带（TR）
- 系列：-
- 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷带
- 产品状态：不适用于新设计
- FET 类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：20 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：10A（Ta）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.5V，4.5V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：12 毫欧 @ 10A，4.5V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：1V @ 1mA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：24 nC @ 4.5 V
- Vgs（最大值）：±10V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：2250 pF @ 10 V
- FET 功能：-
- 功率耗散（最大值）：2W（Ta）
- 工作温度：150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 供应商器件封装：8-SOP
- 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）