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RSQ015P10TR
单 FET，MOSFET更新日期：2024-04-01
RSQ015P10TR
单 FET，MOSFET产品简介：MOSFET P-CH 100V 1.5A TSMT6
RSQ015P10TR 供应商
- 公司
- 型号
- 品牌
- 封装/批号
- 数量
- 地区
- 日期
- 说明
- 询价
-
SOT23-6
23+ -
46000
-
合肥
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科大讯飞战略投资企业，提供一站式配套服务
RSQ015P10TR 中文资料属性参数
- 现有数量：0现货
- 价格：3,000 : ￥3.00172卷带（TR）
- 系列：-
- 包装：卷带（TR）剪切带（CT）? 得捷定制卷带
- 产品状态：不适用于新设计
- FET 类型：P 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：100 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：1.5A（Ta）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4V，10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：470 毫欧 @ 1.5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 1mA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：17 nC @ 5 V
- Vgs（最大值）：±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：950 pF @ 25 V
- FET 功能：-
- 功率耗散（最大值）：600mW（Ta）
- 工作温度：150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 供应商器件封装：TSMT6（SC-95）
- 封装/外壳：SOT-23-6 细型，TSOT-23-6