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RS6G120BGTB1
单 FET，MOSFET更新日期：2024-04-01 00:04:00
RS6G120BGTB1
单 FET，MOSFET产品简介：NCH 40V 210A, HSOP8, POWER MOSFE
RS6G120BGTB1 供应商
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ROHM
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??μ
20+ -
2500
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上海市
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оо9999?
RS6G120BGTB1 中文资料属性参数
- 现有数量：2,110现货
- 价格：1 : ￥27.82000剪切带（CT）2,500 : ￥15.29959卷带（TR）
- 系列：-
- 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷带
- 产品状态：在售
- FET 类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：40 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：120A（Ta）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：1.34 毫欧 @ 90A， 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 1mA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：67 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）：±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：4240 pF @ 20 V
- FET 功能：-
- 功率耗散（最大值）：104W（Ta）
- 工作温度：150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 供应商器件封装：8-HSOP
- 封装/外壳：8-PowerTDFN