RS1P600BETB1
单 FET,MOSFET更新日期:2024-04-01 00:04:00
RS1P600BETB1
单 FET,MOSFET产品简介:MOSFET N-CH 100V 17.5A/60A 8HSOP
RS1P600BETB1 供应商
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ROHM
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??μ
22 -
20000
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上海市
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RohmSemiconductor
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8-HSOP
18+ -
400
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上海市
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RS1P600BETB1 中文资料属性参数
- 现有数量:0现货
- 价格:1 : ¥22.26000剪切带(CT)
- 系列:-
- 包装:剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
- 产品状态:不适用于新设计
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss):100 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):17,5A(Ta),60A(Tc)
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):9,7 毫欧 @ 17,5A,10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):4V @ 500μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值):33 nC @ 10 V
- Vgs(最大值):±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):2200 pF @ 50 V
- FET 功能:-
- 功率耗散(最大值):3W(Ta),35W(Tc)
- 工作温度:150°C(TJ)
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:8-HSOP
- 封装/外壳:8-PowerTDFN