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RQ6E080AJTCR
单 FET，MOSFET更新日期：2024-04-01 00:04:00
RQ6E080AJTCR
单 FET，MOSFET产品简介：MOSFET N-CH 30V 8A TSMT6
RQ6E080AJTCR 中文资料属性参数
- 现有数量：2,270现货
- 价格：1 : ￥6.36000剪切带（CT）3,000 : ￥2.46916卷带（TR）
- 系列：-
- 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷带
- 产品状态：在售
- FET 类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：30 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：8A（Ta）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：2.5V，4.5V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：16.5mOhm @ 8A，4.5V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：1.5V @ 2mA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：16.2 nC @ 4.5 V
- Vgs（最大值）：±12V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：1810 pF @ 15 V
- FET 功能：-
- 功率耗散（最大值）：950mW（Ta）
- 工作温度：150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 供应商器件封装：TSMT6（SC-95）
- 封装/外壳：SOT-23-6 细型，TSOT-23-6