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RJM0603JSC-00#12
FET、MOSFET 阵列更新日期：2024-04-01 00:04:00
RJM0603JSC-00#12
FET、MOSFET 阵列产品简介：MOSFET 3N/3P-CH 60V 20A HSOP
RJM0603JSC-00#12 中文资料属性参数
- 现有数量：0现货
- 价格：在售
- 系列：Automotive, AEC-Q101
- 包装：托盘
- 产品状态：在售
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 配置：3 个 N 沟道和 3 个 P 沟道（3 相桥式）
- FET 功能：逻辑电平栅极，4.5V 驱动
- 漏源电压（Vdss）：60V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：20A
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：20 毫欧 @ 10A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 1mA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：43nC @ 10V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：2600pF @ 10V
- 功率 - 最大值：54W
- 工作温度：175°C
- 安装类型：表面贴装型
- 封装/外壳：20-SOIC（0.433"，11.00mm 宽）裸露焊盘
- 供应商器件封装：20-HSOP