RJM0306JSP-01#J0
FET、MOSFET 阵列更新日期:2024-04-01 00:04:00
RJM0306JSP-01#J0
FET、MOSFET 阵列产品简介:MOSFET 2N/2P-CH 30V 3.5A 8-SOP
RJM0306JSP-01#J0 供应商
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- 型号
- 品牌
- 封装/批号
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- 说明
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RenesasElectronicsAmeric
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8-SOP
18+ -
400
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上海市
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只做原装正品假一赔十为客户做到零风险
RJM0306JSP-01#J0 中文资料属性参数
- 现有数量:0现货
- 价格:在售
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 配置:2 N 和 2 P 沟道(半桥)
- FET 功能:逻辑电平栅极,4V 驱动
- 漏源电压(Vdss):30V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.5A
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):65 毫欧 @ 2A,10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):-
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值):5nC @ 10V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):290pF @ 10V
- 功率 - 最大值:2.2W
- 工作温度:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商器件封装:8-SOP

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