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RJK6002DPH-E0#T2
单 FET，MOSFET更新日期：2024-04-01 00:04:00
RJK6002DPH-E0#T2
单 FET，MOSFET产品简介：MOSFET N-CH 600V 2A TO251
RJK6002DPH-E0#T2 供应商
- 公司
- 型号
- 品牌
- 封装/批号
- 数量
- 地区
- 日期
- 说明
- 询价
-
Renesas
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TO-251-4
21+ -
3467
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上海市
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-
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一级代理原装
RJK6002DPH-E0#T2 中文资料属性参数
- 现有数量：0现货
- 价格：停产
- 系列：-
- 包装：卷带（TR）
- 产品状态：停产
- FET 类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：600 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：2A（Ta）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：6.8 欧姆 @ 1A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：-
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：6.2 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）：±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：165 pF @ 25 V
- FET 功能：-
- 功率耗散（最大值）：30W（Tc）
- 工作温度：150°C（TJ）
- 安装类型：通孔
- 供应商器件封装：TO-251
- 封装/外壳：TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA