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RF4C050APTR
单 FET，MOSFET更新日期：2024-04-01 00:04:00
RF4C050APTR
单 FET，MOSFET产品简介：MOSFET P-CH 20V 10A HUML2020L8
RF4C050APTR 供应商
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ROHM
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??μ
20+ -
63000
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上海市
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оо9999?
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RohmSemiconductor
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HUML2020L8
18+ -
400
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上海市
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只做原装正品假一赔十为客户做到零风险
RF4C050APTR 中文资料属性参数
- 现有数量：11,650现货
- 价格：1 : ￥5.49000剪切带（CT）3,000 : ￥2.10604卷带（TR）
- 系列：-
- 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷带
- 产品状态：在售
- FET 类型：P 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：20 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：10A（Ta）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.8V，4.5V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：26 毫欧 @ 5A，4.5V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：1V @ 1mA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：55 nC @ 4.5 V
- Vgs（最大值）：-8V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：5500 pF @ 10 V
- FET 功能：-
- 功率耗散（最大值）：2W（Ta）
- 工作温度：150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 供应商器件封装：HUML2020L8
- 封装/外壳：8-PowerUDFN
RF4C050APTR 数据手册
| 数据手册 | 说明 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|
 RF4C050APTR
|
MOSFET P-CH 20V 10A 8HUML |
12页,2.36M | 查看 |