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RCD100N19TL
单 FET，MOSFET更新日期：2024-04-01 00:04:00
RCD100N19TL
单 FET，MOSFET产品简介：MOSFET N-CH 190V 10A CPT3
RCD100N19TL 中文资料属性参数
- 现有数量：1,108现货
- 价格：1 : ￥11.13000剪切带（CT）2,500 : ￥4.72129卷带（TR）
- 系列：-
- 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷带
- 产品状态：不适用于新设计
- FET 类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：190 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：10A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4V，10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：182 毫欧 @ 5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 1mA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：52 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）：±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：2000 pF @ 25 V
- FET 功能：-
- 功率耗散（最大值）：850mW（Ta），20W（Tc）
- 工作温度：150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 供应商器件封装：CPT3
- 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
RCD100N19TL 数据手册
| 数据手册 | 说明 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|
 RCD100N19TL
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MOSFET N-CH 190V 10A CPT3 |
14页,709K | 查看 |