搜索
发布采购
R6020JNJGTL
单 FET，MOSFET更新日期：2024-04-01 00:04:00
R6020JNJGTL
单 FET，MOSFET产品简介：MOSFET N-CH 600V 20A LPTS
R6020JNJGTL 供应商
- 公司
- 型号
- 品牌
- 封装/批号
- 数量
- 地区
- 日期
- 说明
- 询价
-
ROHM
-
??μ
20+ -
73000
-
上海市
-
-
-
оо9999?
R6020JNJGTL 中文资料属性参数
- 现有数量：940现货
- 价格：1 : ￥38.88000剪切带（CT）1,000 : ￥20.55630卷带（TR）
- 系列：-
- 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷带
- 产品状态：在售
- FET 类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：600 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：20A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：15V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：234 毫欧 @ 10A，15V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：7V @ 3.5mA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：45 nC @ 15 V
- Vgs（最大值）：±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：1500 pF @ 100 V
- FET 功能：-
- 功率耗散（最大值）：252W（Tc）
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 供应商器件封装：LPTS
- 封装/外壳：TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB