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QS8M51TR
FET、MOSFET 阵列更新日期：2024-04-01 00:04:00
QS8M51TR
FET、MOSFET 阵列产品简介：MOSFET N/P-CH 100V 2A/1.5A TSMT8
QS8M51TR 中文资料属性参数
- 现有数量：37,395现货
- 价格：1 : ￥11.37000剪切带（CT）3,000 : ￥4.83815卷带（TR）
- 系列：-
- 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷带
- 产品状态：在售
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 配置：N 和 P 沟道
- FET 功能：逻辑电平门
- 漏源电压（Vdss）：100V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：2A，1.5A
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：325 毫欧 @ 2A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 1mA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：4.7nC @ 5V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：290pF @ 25V
- 功率 - 最大值：1.5W
- 工作温度：150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 封装/外壳：8-SMD，扁平引线
- 供应商器件封装：TSMT8