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QS8M31TR
FET、MOSFET 阵列更新日期：2024-04-01 00:04:00
QS8M31TR
FET、MOSFET 阵列产品简介：QS8M31 IS COMPLEX TYPE MOSFET(P+
QS8M31TR 供应商
- 公司
- 型号
- 品牌
- 封装/批号
- 数量
- 地区
- 日期
- 说明
- 询价
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ROHM
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TSMT8[3.00x2.80x0.85mm]
21+ -
50000
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上海市
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原装现货!品质为先！请来电垂询！
QS8M31TR 中文资料属性参数
- 现有数量：0现货查看交期
- 价格：1 : ￥6.60000剪切带（CT）3,000 : ￥2.56599卷带（TR）
- 系列：-
- 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷带
- 产品状态：在售
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 配置：N 和 P 沟道
- FET 功能：-
- 漏源电压（Vdss）：60V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：3A（Ta），2A（Ta）
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：112mOhm @ 3A，10V，210mOhm @ 2A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 1mA，3V @ 1mA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：4nC @ 5V，7.2nC @ 5V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：270pF @ 10V，750pF @ 10V
- 功率 - 最大值：1.1W（Ta）
- 工作温度：150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 封装/外壳：8-SMD，扁平引线
- 供应商器件封装：TSMT8