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QS8J5TR
FET、MOSFET 阵列更新日期：2024-04-01 00:04:00
QS8J5TR
FET、MOSFET 阵列产品简介：MOSFET 2P-CH 30V 5A TSMT8
QS8J5TR 中文资料属性参数
- 现有数量：2,620现货
- 价格：1 : ￥12.72000剪切带（CT）3,000 : ￥5.39910卷带（TR）
- 系列：-
- 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷带
- 产品状态：不适用于新设计
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 配置：2 个 P 沟道（双）
- FET 功能：逻辑电平门
- 漏源电压（Vdss）：30V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：5A
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：39 毫欧 @ 5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 1mA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：19nC @ 10V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：1100pF @ 10V
- 功率 - 最大值：600mW
- 工作温度：150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 封装/外壳：8-SMD，扁平引线
- 供应商器件封装：TSMT8