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QS6K1FRATR
FET、MOSFET 阵列更新日期：2024-04-01 00:04:00
QS6K1FRATR
FET、MOSFET 阵列产品简介：2.5V DRIVE NCH+NCH MOSFET (CORRE
QS6K1FRATR 供应商
- 公司
- 型号
- 品牌
- 封装/批号
- 数量
- 地区
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- 说明
- 询价
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ROHM
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2021+ -
28000
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苏州
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QS6K1FRATR 中文资料属性参数
- 现有数量：14,786现货
- 价格：1 : ￥4.77000剪切带（CT）3,000 : ￥1.83977卷带（TR）
- 系列：Automotive, AEC-Q101
- 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷带
- 产品状态：在售
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 配置：2 N-通道（双）
- FET 功能：逻辑电平栅极，2.5V 驱动
- 漏源电压（Vdss）：30V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：1A（Ta）
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：238 毫欧 @ 1A，4.5V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：1.5V @ 1mA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：2.4nC @ 4.5V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：10V
- 功率 - 最大值：900mW（Tc）
- 工作温度：150°C
- 安装类型：表面贴装型
- 封装/外壳：SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
- 供应商器件封装：TSMT6（SC-95）